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              公司SeDRAM™斬獲第十六屆“中國芯”年度重大創新突破產品獎

              發布日期:2021/12/20   點擊次數:735次   作者:管理員

              2021年12月20日,在第十六屆“中國芯”集成電路產業促進大會上,西安紫光國芯憑借世界領先的異質集成嵌入式DRAM(SeDRAM™)成功斬獲含金量極高的“中國芯”年度重大創新突破產品獎。本次獲獎的SeDRAM™可以突破馮·諾依曼架構的性能瓶頸,滿足高性能計算、人工智能、近存計算、智能物聯網等應用場景對高帶寬、高容量內存的需求。



                “年度重大創新突破產品獎”頒獎儀式


                
              SeDRAM™斬獲年度重大創新突破產品獎

               

              “中國芯”集成電路產業促進大會是國內集成電路領域最具影響力和權威性的行業會議之一,是在工信部信息司指導下舉辦的全國性集成電路行業盛會。本次“中國芯”共分為五大獎項,其中壓軸的“年度重大創新突破產品獎”主要授予本年度有重大技術創新,對我國集成電路產業發展具有重大意義的單款芯片產品,共有38家企業申報,最終包括西安紫光國芯在內的三家企業芯片從40款產品中突圍。



               西安紫光國芯展位現場 

               

              西安紫光國芯的SeDRAM™技術采用納米級互連將DRAM晶圓和不同工藝晶圓在垂直方向上互聯,實現嵌入式存儲器的直接訪問;通過定制的DRAM設計支持多種容量(64MB、128MB、256MB到8GB)和多種帶寬;同時為不同的邏輯工藝提供標準化接口和測試IP,使SoC客戶能夠方便簡單地集成。


               “西安紫光國芯歷時七年研發的SeDRAM™技術和平臺,成功地實現了DRAM晶圓和SoC晶圓的異質集成,提供了業界領先的超大帶寬、超大容量和超低功耗的嵌入式DRAM的解決方案?!蔽靼沧瞎鈬境崭笨偛媒财奖硎?,“本次獲此殊榮,是公司長期堅持技術創新取得的研究成果,也是業界同仁對公司創新能力、產業影響力的高度認可。未來,西安紫光國芯將繼續以創新為驅動力,持續深耕DRAM和SoC設計技術,為集成電路行業帶來更多有價值的創新應用,推動產業快速發展”。



              依托開放式、定制化、平臺式的合作模式,西安紫光國芯憑借多年的DRAM開發量產能力和SoC設計服務的能力,成功幫助有大帶寬、低功耗需求的客戶開發多款產品,其中幾款產品已經實現了大規模量產和銷售。


               同時,SeDRAM™技術和平臺成功開發以來,基于該技術的多款產品和研究成果先后在IEDM 2020、CICC 2021、IMW 2021、A-SSCC 2021等多個業界頂級期刊上公開發表和作專題報告。其中一款產品的相關論文也被ISSCC 2022收錄,將于明年2月公開發表。

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